規(guī)格型號：83105929
頻率：13.5~220MHZ
尺寸：5.0*7.0mm
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產(chǎn)品描述：SMI晶振,77SMO晶振,SPXO貼片晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻...

SMI晶振,77SMO晶振,SPXO貼片晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
SMI晶振公司電子社會做出貢獻(xiàn)，在穩(wěn)步的研究和努力的基礎(chǔ)上，快速開發(fā)先進(jìn)的水晶產(chǎn)品。

我們專注于最新的SMD版本的晶體單元，時(shí)鐘OSC，TCXO，VCXO，OCXO和MCF。并提供高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的產(chǎn)品，支持高可靠性數(shù)據(jù)，頻率范圍從16.000kHz（低）到350.000MHz（高），嚴(yán)格的質(zhì)量控制和嚴(yán)格的運(yùn)輸檢查。
SMI晶振是日本有名的頻率元件制造商,主要研發(fā)生產(chǎn)石英晶體,有源晶體振蕩器等.SMI Crystal擁有先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備以及完善的服務(wù)體系,獲得廣大用戶一直好評.
多年來SMI晶振公司獨(dú)自開發(fā)了多款受市場歡迎的SIM石英晶振型號,而且用途性廣,為各行各業(yè)的發(fā)展做出了一定的貢獻(xiàn).SMI晶振,77SMO晶振,SPXO貼片晶振.

Item		Specifications
General part number		77SMO* 1
Frequency range		13.5000 MHz to 220.000 MHz
Frequency stability (over all conditions)		77SMO(A): ±100 ppm over -20゜C to +70゜C 77SMO(B): ±50 ppm over -20゜C to +70゜C 77SMO(C): ±30 ppm over -20゜C to +70゜C 77SMO(D): ±25 ppm over -20゜C to +70゜C 77SMO(E): ±20 ppm over -20゜C to +70゜C 77SMO(AW): ±100 ppm over -40゜C to +85゜C 77SMO(BW): ±50 ppm over -40゜C to +85゜C 77SMO(CW): ±30 ppm over -40゜C to +85゜C 77SMO(DW): ±25 ppm over -40゜C to +85゜C
Operating Conditions	Operating temperature	-20゜C to +70゜C(Standard) -40゜C to +85゜C(W = Option)
	Supply voltage (V DD )	+2.5V DC ±5%	+3.3V DC ±5%
	Stand-by control voltage (Pin#1)	V IH : 70% V DD min. V IL : 30% V DD max.* 2
Absolute Max. Ratings	Supply voltage	-0.3V to +4.0V DC
	Storage temperature	-50゜C to +125゜C
Input current (Pin#1 = Open or V IH )		60 mA max.
Stand-by current* 2 (Pin#1 = V IL )		15 μA max.
Output (-40゜C to +85゜C)	Symmetry	45% to 55% at crossing point
	Rise and fall times(20% to 80% of amplitude)	0.5 ns max. (0.3 ns, Typical)
	0 Level	V OL : -150mV to +150mV
	1 Level	V OH : +580mV to +850mV
	Load	50 Ω
Start-up time		10 ms max.
SSB phase noise (at V DD = +3.3V & 155.520 MHz)		-133 dBc / Hz, Typical at 1 kHz offset
RMS jitter (12 kHz to 20.000 MHz band) (at V DD = +3.3V & 155.520 MHz)		500 fs max. (85 fs, Typical)
Disable delay time		200 ns max.
Enable delay time		2 ms max.
Differential output voltage		+0.60Vp-p min.	+0.65Vp-p min.
Aging		±5 ppm max. at +25゜C ±3゜C for first year
Reflow condition		+250゜C ±10゜C for 10 seconds +170゜C ±10゜C for 1 to 2 minutes (preheating)

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機(jī)械振動的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.SMI晶振,77SMO晶振,SPXO貼片晶振.

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