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更多>>- 規(guī)格型號(hào):47042866
 - 頻率:8~54MHZ,40~80MHZ
 - 尺寸:5.0*3.2mm
 - 產(chǎn)品描述:Bliley晶振,BQCSV晶振,BQCSV-20.000M-FBDGT晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)...
 
Bliley晶振,BQCSV晶振,BQCSV-20.000M-FBDGT晶振
航欄(10).jpg)
    Bliley晶振,BQCSV晶振,BQCSV-20.000M-FBDGT晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.Bliley晶振公司發(fā)展歷史:
	   1950年-1960年:在這幾十年中,我們進(jìn)入了許多其他市場(chǎng),包括晶體振蕩器、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器 (TCXO)、空間晶體和晶體爐。我們發(fā)現(xiàn)我們的產(chǎn)品現(xiàn)在被用于所有電子領(lǐng)域。1960 年,JHU/APL 使用的 BG73A @ 3MHz 被放置在 TRANSIT 2A 海軍導(dǎo)航衛(wèi)星的軌道上。
1970年-1980年:我們針對(duì)的是規(guī)模較大的商業(yè)業(yè)務(wù),需要對(duì)設(shè)備和人員進(jìn)行大量投資。自動(dòng)化、計(jì)算機(jī)化的測(cè)試系統(tǒng)走在最前沿,促進(jìn)了我們的發(fā)展。在 1980 年代初期,我們開始生產(chǎn) SC 切割晶體。
1990年-2000年:在這段時(shí)期,我們?yōu)樘岣呶覀冎谱鲝?fù)雜和領(lǐng)先的晶體振蕩器設(shè)計(jì)的能力奠定了基礎(chǔ)。這在內(nèi)部得到了最好的雙旋轉(zhuǎn)晶體技術(shù)的支持,并將繼續(xù)得到支持。2001 年,更名為 Bliley Technologies Inc.,以反映公司提供的產(chǎn)品和服務(wù)日益多樣化。
2000年之后:今天,我們?cè)谥圃斓驮肼曨l率控制產(chǎn)品方面處于世界領(lǐng)先地位。我們不斷發(fā)現(xiàn)自己正在努力實(shí)現(xiàn)重大改進(jìn),以滿足客戶不斷變化的需求。更嚴(yán)格的穩(wěn)定性、更低的相位噪聲和加速度靈敏度以及封裝尺寸的減小推動(dòng)了我們開發(fā)各種新技術(shù)。我們相信,我們已做好充分準(zhǔn)備迎接挑戰(zhàn),并像我們 80 多年來所做的那樣取得卓越成就。
Bliley晶振公司總部位于的占地64,000平方英尺的制造工廠的伊利賓夕法尼亞州,是目前美國(guó)僅有的一家專注生產(chǎn)百利TCXO振蕩器,石英晶體,有源晶振的公司之一.Bliley晶振,BQCSV晶振,BQCSV-20.000M-FBDGT晶振.
1970年-1980年:我們針對(duì)的是規(guī)模較大的商業(yè)業(yè)務(wù),需要對(duì)設(shè)備和人員進(jìn)行大量投資。自動(dòng)化、計(jì)算機(jī)化的測(cè)試系統(tǒng)走在最前沿,促進(jìn)了我們的發(fā)展。在 1980 年代初期,我們開始生產(chǎn) SC 切割晶體。
1990年-2000年:在這段時(shí)期,我們?yōu)樘岣呶覀冎谱鲝?fù)雜和領(lǐng)先的晶體振蕩器設(shè)計(jì)的能力奠定了基礎(chǔ)。這在內(nèi)部得到了最好的雙旋轉(zhuǎn)晶體技術(shù)的支持,并將繼續(xù)得到支持。2001 年,更名為 Bliley Technologies Inc.,以反映公司提供的產(chǎn)品和服務(wù)日益多樣化。
2000年之后:今天,我們?cè)谥圃斓驮肼曨l率控制產(chǎn)品方面處于世界領(lǐng)先地位。我們不斷發(fā)現(xiàn)自己正在努力實(shí)現(xiàn)重大改進(jìn),以滿足客戶不斷變化的需求。更嚴(yán)格的穩(wěn)定性、更低的相位噪聲和加速度靈敏度以及封裝尺寸的減小推動(dòng)了我們開發(fā)各種新技術(shù)。我們相信,我們已做好充分準(zhǔn)備迎接挑戰(zhàn),并像我們 80 多年來所做的那樣取得卓越成就。
Bliley晶振公司總部位于的占地64,000平方英尺的制造工廠的伊利賓夕法尼亞州,是目前美國(guó)僅有的一家專注生產(chǎn)百利TCXO振蕩器,石英晶體,有源晶振的公司之一.Bliley晶振,BQCSV晶振,BQCSV-20.000M-FBDGT晶振.

| Parameter | Conditions | Fundamental | 3 rd overtone | Unit | 
| Frequency Range | 8.0 – 54.0 | 40.0– 80.0 | MHz | |
| Frequency Tolerance | @ + 25°C | ±50 Max (see options) | ppm | |
| Frequency Stability | ±50 Max (see options) | ppm | ||
| Aging | Max 1 st Year | ±5.0 | ppm | |
| Equivalent Series Resistance (max) | 8.0 – 9.0 MHz | 140 | Ω | |
| 9.0 – 10.0 MHz | 120 | Ω | ||
| 10.0 – 16.0 MHz | 60 | Ω | ||
| 16.0 – 20.0 MHz | 40 | Ω | ||
| 20.0 – 30.0 MHz | 30 | Ω | ||
| 30.0 – 54.0 MHz | 25 | Ω | ||
| 54.0 – 80.0 MHz | 60 | Ω | ||
| Insulative Resistance | Min @ 100Vdc ±15Vdc | 500 | MΩ | |
| Drive Level | Typical | 10 Typ, 100 Max | μW | |
| C0 (Shunt Capacitance) | Max (typical) | 7 | pF | |
| CL (Load Capacitance) | Per Option (typical) | 8-20 (see options) | pF | |
| DLD | 50nW to 100µW | ±10 Max | ppm | |
| RLD | 50nW to 100µW | 20% Max | Ω | |
| Operating Temp Range | -20 to +70 / -40 to +85 | °C | ||
| Storage Temp Range | -40 to +90 | °C | ||
| Sealing Method | Seam Weld | |||
.jpg)
     耐焊性:
	      將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
	粘合劑
	請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
	機(jī)械振動(dòng)的影響
	當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作. 
	熱影響
	重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
	安裝方向
	振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
	通電
	不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
	負(fù)載電容
	有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).Bliley晶振,BQCSV晶振,BQCSV-20.000M-FBDGT晶振.
	
		
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