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帝國博客
更多>>- 規(guī)格型號:85904819
 - 頻率:120~800MHZ
 - 尺寸:7.0*5.0mm
 - 產品描述:Fortiming晶振,VC75P2晶振,VC75P2-622M080-BAA1晶振,壓控晶振(VCXO),壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60MHz到200MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應用:SDH/SONET,以太網,基站,筆記本晶振應...
 
Fortiming晶振,VC75P2晶振,VC75P2-622M080-BAA1晶振
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    Fortiming晶振,VC75P2晶振,VC75P2-622M080-BAA1晶振,壓控晶振(VCXO),壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60MHz到200MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動,三態(tài)功能,應用:SDH/SONET,以太網,基站,筆記本晶振應用,符合RoHS/無鉛.我們致力于為您提供最好的服務,這是我們知道的最佳方式,可以贏得您的信任并建立持久的關系.收集和組織有關頻率控制和時序管理應用相關主題的最新信息,它涵蓋了型產品開發(fā),新應用,型制造技術以及全球最新業(yè)務開發(fā).
因為良好的信譽,富通晶振與許多客戶都建立了長期合作的關系,而且Fortiming晶振公司經常發(fā)布頻率元件相關的技術文章,使客戶頻繁的光顧.
Fortiming晶振公司是頻率控制和時序管理的制造商,所有Fortiming Crystal均通過ISO9001認證,這幾年Fortiming差分晶振的產量和銷量明顯在增加,富通晶振采用了先進的技術測試儀器生產大量的晶振產品.Fortiming晶振,VC75P2晶振,VC75P2-622M080-BAA1晶振.

| Frequency Range | 120 MHz to 800 MHz | 
| Input Voltage (Vcc) | B = +3.3 VDC ± 5% | 
| Input Current | 100 mA Maximum | 
| Control Voltage (Vc) | +1.65V ± 1.5V | 
| Storage Temperature | -55°C to 125°C | 
| Frequency Stability / APR (Min) | C = ±50 / ±100 ppm | 
| Temperature Range | A = 0°C to 70°C; B = -40°C to 85°C | 
| Standard Stability / Pullability | CA = ±50 ppm / 0°C to 70°C, Absolute pull range (APR): ±50 ppm Minimum | 
| Duty Cycle | 1 = Tristate 60/40% symmetry; 3 = Tristate 55/45% symmetry | 
| Output Load | 50 Ohms to Vcc - 2.0V or Thevenin equivalent, Bias required | 
| Logic "1" / Logic "0" Level | Vcc - 1.025V Minimum / Vcc - 1.620V Maximum | 
| Rise/Fall Time (Tr/Tf) | 1 ns Maximum at 20% to 80% Vp-p | 
| Start-up Time | 5 ms Maximum | 
| Integrated Phase Jitter (RMS) | 2 ps Maximum for fj = 12KHz to 20MHz, at 622.08MHz | 
| Modulation Bandwidth | 12 kHz Minimum at -3 dB | 
| Linearity / Slope | ±20% Maximum of best straight line fit / Positive | 
| Input Impedance | 50 kOhms Minimum, fm < 10KHz | 
| Setability at Fnom, 25°C | +1.65V ±0.4V for 3.3V part | 
| Tristate Function | 
				Input (Pin#2) High (2.2V Min) or open: Output (Pin#4, #5) active Input (Pin#2) Low (0.4V Max): Output disabled in high impedance  | 
		
| Enable/Disable Time | 100 ns Maximum | 
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     耐焊性:
	      將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息.
	粘合劑
	請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
	機械振動的影響
	當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質量有影響.盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作. 
	熱影響
	重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
	安裝方向
	振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
	通電
	不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.
	負載電容
	有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容).Fortiming晶振,VC75P2晶振,VC75P2-622M080-BAA1晶振.
	
		
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