規(guī)格型號(hào)：66226182
頻率：10~50MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
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產(chǎn)品描述：Greenray晶振,T75晶振,T75-T57-LG-20.0MHz晶振,溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM-2.0PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制...

Greenray晶振,T75晶振,T75-T57-LG-20.0MHz晶振,溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM-2.0PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和蜂窩和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.

Greenray格林雷工業(yè)是一家領(lǐng)先的精密晶體振蕩器,貼片晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器制造商.幾十年來(lái)我們所生產(chǎn)的晶振,石英晶體,貼片晶體等產(chǎn)品的設(shè)計(jì),測(cè)試,包裝都是經(jīng)過(guò)一系列嚴(yán)格要求規(guī)范操作,是在我們位于賓夕法尼亞州機(jī)械堡的工廠中通過(guò)嚴(yán)格的管理以及嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度進(jìn)行操作的.我們所生產(chǎn)的有源晶振,貼片晶振,溫補(bǔ)振蕩器都是符合ITAR標(biāo)準(zhǔn)的,我們的質(zhì)量管理體系認(rèn)證為ISO:9001標(biāo)準(zhǔn).
Greenray格林雷工業(yè)生產(chǎn)貼片晶體振蕩器,有源晶振,SMT、thru - hole、混合和定制產(chǎn)品.所生產(chǎn)的石英晶體振蕩器根據(jù)性能可以分為：普通晶體振蕩器（SPXO）、壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）等.
Greenray格林雷晶振集團(tuán)致力于研發(fā)生產(chǎn)高精密,性能穩(wěn)定的石英晶體振蕩器,滿足不同客戶的特殊要求,并且具有低噪音,低相位等特點(diǎn).Greenray格林雷有源晶振,壓控振蕩器,（PXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等在產(chǎn)品中使用具備優(yōu)異的振動(dòng)性,耐沖擊等特性.Greenray格林雷還為廣大用戶提供具有良好可靠性,在產(chǎn)品中使用性能穩(wěn)定強(qiáng)的自校準(zhǔn)振蕩器,石英晶體振蕩器.
Greenray晶振生產(chǎn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于航空航天,網(wǎng)絡(luò)通訊,GPS定位,汽車電子等領(lǐng)域,為現(xiàn)代的科技做出了巨大的貢獻(xiàn),格林雷晶振在美國(guó)晶振行業(yè)中處于領(lǐng)先的地位,以技術(shù)占領(lǐng)市場(chǎng).Greenray晶振,T75晶振,T75-T57-LG-20.0MHz晶振.

Frequency	10.0 MHz to 50.0 MHz
Output	CMOS or Clipped Sinewave
Symmetry	50% ± 10% (CMOS)
Output Level	Clipped SINE - +0.8V p-p typ into 10pF/10k ohm load;
Output Level	HCMOS – T75 - +0.2V max to +2.8V min; T76 - +0.2V max to +4.2V min (15pF load)
Temp Stability	Temp Range	Tolerance	Option
(other stabilities available	-10°C to +60°C	±0.3 ppM	G37
	-20°C to +70°C	±0.5 ppM	N57
	-40°C to +85°C	±0.5 ppM	T57
	-40°C to +85°C	±1.0 ppM	T16
	-55°C to +95°C	±3.0 ppM	V36
Aging	<1 ppM/yr (10 MHz typ)
Freq Adjust	±7 ppM typ via 0 to V cc control V, positive slope
Supply Voltage	+3.3 VDC ± 5% or +5.0 VDC
Supply Current	< 6mA for HCMOS; < 3mA for SINE
Accel Sensitivity	≤2.5x10-9/g (“SD” option); ≤7x10-10/g (“LG” option)
Environmentals
Vibration – per MIL-STD-202G, Meth 214,Cond I-F
Shock - per MIL-STD-202G, Meth 213,Cond F
(Shock level available up to 50000g!)
Ordering Information:
Model	Input V	Output
T75	+3.3V	HCMOS
T76	+5.0V	HCMOS
T77	+3.3V	CLIPPED SINE
T78	+5.0V	CLIPPED SINE

存儲(chǔ)事項(xiàng)

(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。Greenray晶振,T75晶振,T75-T57-LG-20.0MHz晶振.

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