規(guī)格型號(hào)：23650802
頻率：32.768KHZ
尺寸：3.2*1.5mm
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產(chǎn)品描述：ILSI晶振,IL3X晶振,IL3X-HX5F12.5-32.768KHZ晶振,1995年，ILSI北京中國(guó)辦事處開業(yè)。1998年，ILSI美國(guó)公司搬遷到它現(xiàn)在的位置，這是一個(gè)位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年，ILSI香港中海物流中心開業(yè)...

ILSI晶振,IL3X晶振,IL3X-HX5F12.5-32.768KHZ晶振,1995年，ILSI北京中國(guó)辦事處開業(yè)。1998年，ILSI美國(guó)公司搬遷到它現(xiàn)在的位置，這是一個(gè)位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年，ILSI香港中海物流中心開業(yè)。2007年ILSI韓國(guó)辦事處的開業(yè)完成了我們?cè)诿绹?guó)和亞洲提供真正實(shí)體店的目標(biāo)，這些實(shí)體由直接員工提供，以支持我們?cè)诒泵溃鞲纾瑏喼藓蜌W洲快速增長(zhǎng)的客戶群。

2013年，ILSI收購(gòu)了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購(gòu)使我們現(xiàn)有的全球頻率控制打印位置和活躍的客戶群翻了一番。ILSI收購(gòu)MMD的行為不會(huì)中斷我們的客戶供應(yīng)鏈。ILSI現(xiàn)在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷售水平顯著提高，因此2013年需要開設(shè)兩個(gè)新的區(qū)域銷售辦事處，負(fù)責(zé)處理洛杉磯，加利福尼亞州，加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區(qū)。
LISI CRYSTAL又名艾爾西晶振,是美國(guó)一家專業(yè)生產(chǎn)制作時(shí)鐘振蕩器的供應(yīng)商.ILSI晶振美國(guó)公司成立于1987年,總部位于加州科某件塔梅薩.
位于美國(guó)內(nèi)華達(dá)州的ILSI晶振公司擁有10000平方英尺面積基地,是一家規(guī)模較大的晶體供應(yīng)商,艾爾西晶振公司全球的員工多達(dá)上千名,美國(guó)ILSI晶振在全球范圍內(nèi)都具有不小的影響力.ILSI晶振,IL3X晶振,IL3X-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.

ILSI晶振規(guī)格	單位	IL3X晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10^-6	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.luck-168.com.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±20 × 10^{-6 ，}10°C ～ +60°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	6pF，9pF，12.5pF～ ∞	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊：
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞SMD晶振產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。ILSI晶振,IL3X晶振,IL3X-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.

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