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首頁(yè)進(jìn)口晶振SMI晶振SMI晶振,57SMO晶振,晶體時(shí)鐘振蕩器

    SMI晶振,57SMO晶振,晶體時(shí)鐘振蕩器

  • 規格型號:16559570
  • 頻率:13.5~400MHZ
  • 尺寸:5.0*7.0mm
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  • 產(chǎn)品描述:SMI晶振,57SMO晶振,晶體時(shí)鐘振蕩器,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著(zhù)翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋...
    SMI晶振,57SMO晶振,晶體時(shí)鐘振蕩器,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著(zhù)翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
    SMI是Crystal Technology的新興領(lǐng)導者。
    我們積極為電子社會(huì )做出貢獻,在穩步的研究和努力的基礎上,快速開(kāi)發(fā)先進(jìn)的水晶產(chǎn)品。
    我們專(zhuān)注于最新的SMD版本的晶體單元,時(shí)鐘OSC,TCXO,VCXO,OCXO和MCF。并提供高質(zhì)量和高穩定性的產(chǎn)品,支持高可靠性數據,頻率范圍從16.000kHz(低)到350.000MHz(高),嚴格的質(zhì)量控制和嚴格的運輸檢查。
    SMI晶振是日本有名的頻率元件制造商,主要研發(fā)生產(chǎn)石英晶體,有源晶體振蕩器等.SMI Crystal擁有先進(jìn)的生產(chǎn)設備以及完善的服務(wù)體系,獲得廣大用戶(hù)一直好評. 并吸引眾多對SMI晶振感興趣的客戶(hù)前來(lái)采購,SMI晶振公司所制作出來(lái)的晶振有保障,性能優(yōu)越,價(jià)格合理,服務(wù)一流.
    多年來(lái)SMI晶振公司獨自開(kāi)發(fā)了多款受市場(chǎng)歡迎的SIM石英晶振型號,而且用途性廣,為各行各業(yè)的發(fā)展做出了一定的貢獻,被更多業(yè)界人士知曉SMI晶振的魅力,并占據一定的位置,一直致力于研發(fā)生產(chǎn)更多優(yōu)質(zhì)的有源晶振,小型晶振,石英晶體振蕩器等產(chǎn)品.SMI晶振,57SMO晶振,晶體時(shí)鐘振蕩器.
Item  Specifi cations
General part number  57SMO* 1
Frequency range  13.500 MHz to 400.000 MHz
Frequency stability
(over all conditions)
57SMO(A): ±100 ppm over -20゜C to +70゜C
57SMO(B): ±50 ppm over -20゜C to +70゜C
57SMO(C): ±30 ppm over -20゜C to +70゜C
57SMO(D): ±25 ppm over -20゜C to +70゜C
57SMO(E): ±20 ppm over -20゜C to +70゜C
57SMO(AW): ±100 ppm over -40゜C to +85゜C
57SMO(BW): ±50 ppm over -40゜C to +85゜C
57SMO(CW): ±30 ppm over -40゜C to +85゜C
57SMO(DW): ±25 ppm over -40゜C to +85゜C
Operating Conditions Operating temperature  -20゜C to +70゜C(Standard)
-40゜C to +85゜C(W = Option)
-40゜C to +105゜C(WW = Option)
Supply voltage (V DD ) +2.5V DC ±5%  +3.3V DC ±5%
Stand-by control
voltage (Pin#1)
V IH : 70% V DD min.
V IL : 30% V DD max.* 
Absolute Max. Ratings Supply voltage -0.5V to +5.0V DC
Storage temeperature -50゜C to +125゜C
Input current (Pin#1 = Open or V IH )    88 mA max. (55mA, Typical)
Stand-by current* 2  (Pin#1 = V IL )    30 μA max.
Output
(-40゜C to +85゜C)
Symmetry
(at crossing point)
45% to 55% ( 13.500 MHz to 350.000 MHz)
40% to 60% (350.000 MHz to 400.000 MHz)
Rise and fall times
(20% to 80% of amplitude)
0.7 ns max. (0.3 ns, Typical)
0 Level  V OL : +0.67V to +1.195V  V OL : +1.47V to +1.745V
1 Level  V OH : +1.415V to +1.760V  V OH : +2.215V to +2.42V
Load  50 Ω into V DD -2V
Start-up time  10 ms max.
SSB phase noise
(at V DD = +3.3V & 155.520 MHz)
-147 dBc / Hz, Typical at 100 kHz offset
RMS jitter  (12 kHz to 20.000 MHz band)
(at V DD = +3.3V & 155.520 MHz)
0.5 ps max.
Disable delay time  200 ns max.
Enable delay time  2 ms max.
Differential output voltage  0.4Vp-p min.
Aging  ±5 ppm max. at +25゜C ±3゜C for fi rst year
Refl ow condition  +250゜C ±10゜C for 10 seconds
 +170゜C ±10゜C for 1 to 2 minutes (preheating)
     耐焊性:
      將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì )破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì )破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
機械振動(dòng)的影響
當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì )受到影響.這種現象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作. 
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會(huì )降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì )導致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì )導致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強力調整,可能只會(huì )導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).SMI晶振,57SMO晶振,晶體時(shí)鐘振蕩器.

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