規(guī)格型號(hào)：13885790
頻率：1~125MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
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產(chǎn)品描述：SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流...

SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.

Sitime晶振是美國(guó)知名頻率元件研發(fā)制造商,致力于生產(chǎn)Sitime硅晶振,Sitime可編程晶振,具有更高性能,更低漂移,更小的尺寸以及高可靠性等特點(diǎn).
SiTime 提供全面的福利計(jì)劃，使我們的團(tuán)隊(duì)能夠繁榮發(fā)展并釋放他們的全部潛力——因?yàn)槲覀冎澜】岛拓?cái)務(wù)狀況對(duì)于我們的員工茁壯成長(zhǎng)至關(guān)重要.
自從文明誕生以來(lái)，人類就明白時(shí)間的重要性。時(shí)機(jī)創(chuàng)造了可以決定成功或失敗的機(jī)會(huì)和優(yōu)勢(shì)。了解為何準(zhǔn)確計(jì)時(shí)在當(dāng)今的電子產(chǎn)品中至關(guān)重要，以及 SiTime 如何改變計(jì)時(shí)行業(yè)。我們正在重新定義未來(lái)幾十年的可能性。幫助我們賦能下一代創(chuàng)新者。
我們今天使用的計(jì)時(shí)設(shè)備的數(shù)量。它們存在于您口袋里的智能手機(jī)、辦公桌上的平板電腦、頭盔上的相機(jī)、飛行中的駕駛艙以及您家附近的地震探測(cè)系統(tǒng)中。我們的產(chǎn)品為電子產(chǎn)品提供了心跳。你看不到它們，但沒有它們你的世界就無(wú)法運(yùn)轉(zhuǎn)。
SiTime Crystal是MegaChips公司的獨(dú)立子公司,主要以生產(chǎn)高精度石英晶體振蕩器,可編程晶體振蕩器,MEMS晶振等器件為主.SiTime晶振主要以生產(chǎn)MEMS晶振,VCXO晶振等頻率元件.SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振.

Ab solute Maximum Table
Parameter		Min.	Max.	Unit
Storage Temperature		-65	150	°C
VDD		-0.5	+3.65	V
Electrostatic Discharge			6000	V
Theta JA ( with copper plane on VDD and GND)		–	75	°C/W
Theta JC (with PCB traces of 0.010 inch to all pins)		–	24	°C/W
Soldering Temperature (follow standard Pb free soldering guidelines)			260	°C
Number of Program Writes			1	NA
Program Retention over -40 to 125C, Process, VDD (0 to 3.6V)			1,000+	years
Operating Conditions
Parameter	Min.	Typ.	Max.	Unit
Supply Voltages, VDD [1]	2.97	3.3	3.63	V
	2.25	2.5	2.75	V
	1.7	1.8	1.9	V
Automotive OperatingTemperature	-40	–	125	°C
Maximum Load Capacitance [2]	–	–	15	pF
VDD Ramp Time	0	–	200	ms

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.SiTime晶振,SiT8002AA晶振,SiT8002AA-14-33E-123.12345T晶振.

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