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首頁(yè)歐美晶振SiTime晶振SiTime晶振,SiT9104晶振,OSC差分晶振

    SiTime晶振,SiT9104晶振,OSC差分晶振

  • 規格型號:61397952
  • 頻率:1~220MHZ
  • 尺寸:7.0*5.0mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:SiTime晶振,SiT9104晶振,OSC差分晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著(zhù)翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆...
    SiTime晶振,SiT9104晶振,OSC差分晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著(zhù)翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
   自從文明誕生以來(lái),人類(lèi)就明白時(shí)間的重要性。時(shí)機創(chuàng )造了可以決定成功……或失敗的機會(huì )和優(yōu)勢。
今天,我們在日常生活的各個(gè)角落都依賴(lài)準確的時(shí)間。了解計時(shí)行業(yè)如何經(jīng)歷轉型,以及為什么計時(shí)硅化將重新定義未來(lái)幾十年可能的極限。
    我們是一群充滿(mǎn)激情和堅持不懈的創(chuàng )新者,他們在時(shí)間上挑戰了巨人。幾十年來(lái),石英一直主導著(zhù)這個(gè)行業(yè),我們決定改變這一點(diǎn)。我們的目標很明確:制造性能最高、最可靠的計時(shí)設備,比針頭還小。
    我們現在引領(lǐng) MEMS 時(shí)鐘市場(chǎng),生產(chǎn)可編程解決方案,使客戶(hù)能夠以更高的性能、更小的尺寸、更低的功耗和更好的可靠性來(lái)區分他們的產(chǎn)品。
    SiTime晶振的可配置解決方案幫助客戶(hù)提高產(chǎn)品性能,縮小產(chǎn)品尺寸,提升產(chǎn)品可靠性,并在市場(chǎng)競爭中脫穎而出。SiTime產(chǎn)品采用標準半導體制造工藝和高量產(chǎn)塑料封裝技術(shù)的生產(chǎn)流程,提供業(yè)界強大的供貨能力和簡(jiǎn)短的交貨時(shí)間.并且SiTime晶振向市場(chǎng)供應優(yōu)質(zhì)的有源晶振,可編程振蕩器等產(chǎn)品。SiTime晶振,SiT9104晶振,OSC差分晶振.
Ab solute Maximum Table
Parameter Min. Max. Unit
Storage Temperature -65 150 °C
VDD -0.5  +4 V
Theta JA ( with copper plane on VDD and GND)  27.5 °C/W
Theta JC (with PCB traces of 0.010 inch to all pins) 47 °C/W
Soldering Temperature (follow standard Pb free soldering guidelines) 260 °C
Number of Program Writes 1 NA
Program Retention over -40 to 125C, Process, VDD (0 to 3.6V) 1,000+ years
Human Body Model (JESD22-A114) 200
Charged Device Model (JESD22-C101) 750
Machine Model (JESD22-A115)  200
Operating Conditions
Parameter  Min.  Typ.  Max.  Unit
Supply Voltages, VDD [1]  2.97 3.3 3.63 V
2.25 2.5 2.75 V
1.7 1.8 1.9 V
Extended Commercial OperatingTemperature  -20 70 °C
Industrial Operating Temperature  –40 85 °C
Maximum Load Capacitance 15 pF
     耐焊性:
      將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì )破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì )破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
機械振動(dòng)的影響
當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì )受到影響.這種現象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作. 
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會(huì )降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì )導致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì )導致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負載電容
有源晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強力調整,可能只會(huì )導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).SiTime晶振,SiT9104晶振,OSC差分晶振.

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